图1是高频特性良好的功率MOSFET放大器电路。为了抑制电源变动的影响，由VT1、VI2等构成恒流电路。VT3和VT4为末级功率放大电路，由于偏置电流的影响，故其漏极电流具有由正到负的温度系数。因此，在该电路中可通过RP2调整偏置，使VT3和VT4的漏极电流为0.1一0.2A即可。该电路的频率为1Hz一800KHz时，失真率是每lkHz为0.04%，输出功率为40W，转换速率为100V/μs。
图1 高频特性良好的功率MOSFET放大器电路图
