一、输入阻抗
从上图（b）电路中，从1、1`端往右边看的输入阻抗为：Ri=Ui/Ib=rbe+(1+β)ReL
式中：ReL=Re//RL,rbe是晶体管的输入电阻，对低频小功率管其值为：rbe=300+(1+β)(26毫伏）/（Ie毫伏）
在上图（b）电路中，若从b、b’端往右看的输入阻抗为Ri=Ui/Ii=Rb//Rio.由上式可见，射随器的输入阻抗要比一般共射极电路的输入阻抗rbe高（1+β）倍。
2、输出阻抗
将Es=0,从上图（C）的e、e'往式看的输出阻抗为：Ro=Uo/Ui=(rbe+Rsb)/(1+β),式中Rs=Rs//Rb,
若从输出端0、0’往左看的输出阻抗为Ro=Ro//Reo
3、电压放大倍数
根据上图（b）等效电路求得：Kv=Uo/Ui=(1+β)Rel/[Rbe+(1+β)Rel],
式中：Rel=Re//RL,当(1+β)Rel>>rbe时，Kv=1,通常Kv<1.
4、电流放大倍数
根据上图（b）等效电路求得：KI=Io/Ii=(1+β)RsbRe/(Rsb+Ri)(Re+RL)
式中：Rsb=Rs//Rb,Ri=rbc+(1+β)Relo 通常，射随器具有电流和功率放大作用。

图2是一种自举式的跟随器，它的特点是：
1、自举
由于R3的下端电位随上端电位升曾而升高，故称为自兴举，自举作用使R3两端的交流压降为零。所以对交流来说，R3相当于开路，从而避免了偏置电路降低了输入阻抗的缺陷。
2、输入阻抗高
为了尽量地提高晶体管有效的输入阻抗，采用BG1和BG2组成复合管电路，这时β=β1β2，使总的输入阻抗大大提高。因为输入阻抗Ri=Rbe+(1+β)Reo 本电路的输入阻抗为2兆欧，